2021年9月25—26日，華夏電工技術學會成立40周年紀念大會暨第十六屆華夏電工技術學會學術年會在北京會議中心盛大舉行。華中科技大學梁琳研究員應邀在年會“電力電子技術及電能變換”專題會議上，就“高壓大容量特種功率半導體器件研究進展”作特邀報告。現(xiàn)將梁琳研究員得報告分享給各位讀者，以期促進本領域得學術交流和技術進步。本號將陸續(xù)推送大會得部分可能報告，請讀者持續(xù)。
可能簡介梁琳，華中科技大學電氣與電子工程學院研究員，博士生導師，電力安全與高效利用教育部工程研究中心副主任。IEEE高級會員，中達青年學者獎獲得者，2021華夏電源領域“蕞美科技工”入選者，國際一流期刊IEEE JESTPE副感謝。曾赴美國北卡州立大學FREEDM Systems Center任訪問教授。
研究領域為功率半導體器件、封裝、可靠性及其應用。發(fā)表SCI/EI/CSCD收錄論文70余篇；合作出版專著2部；獲授權China發(fā)明專利17項，其中轉(zhuǎn)讓3項；主持China自然科學基金面上項目2項、國防基礎科研計劃項目1項，是1項China重點研發(fā)計劃項目課題執(zhí)行負責人，主持與企業(yè)、科研院所合作項目20余項。
報告摘選脈沖功率技術廣泛應用于各個領域。在軍用領域，主要有核爆模擬、電熱軌道武器、電磁炮、衛(wèi)星推進等應用；在民用領域，主要有廢氣廢水處理、材料改性、火電廠脫硫脫硝、微生物殺菌等應用。理想得脈沖功率開關希望兼顧高斷態(tài)重復峰值電壓、高峰值電流、高di/dt耐量。RSD、DSRD、F等特種器件系列，覆蓋了不同功率范圍、時間尺度得脈沖功率應用，前景廣闊。碳化硅脈沖高壓雙極型器件與硅基器件相比優(yōu)勢明確，實際應用中減少材料缺陷、提升少子壽命仍是重大挑戰(zhàn)。壓接IGBT、SiC IGBT等電力電子器件在各自優(yōu)勢參數(shù)范圍也可在脈沖功率領域應用，要發(fā)揮出允許性能需定制化設計。
