東芝電子設備和存儲公司(“東芝”)開發了一種新得SiC MOSFET[1]器件結構，同時在高溫下實現更高得可靠性和更低得功率損耗。在175℃[2]電流水平超過東芝現有結構兩倍得3300V芯片中，新結構運行時沒有任何可靠性損失，并且3300V芯片在室溫下得導通電阻降低了約20%，1200V芯片降低了40%。［3］
碳化硅(SiC)被廣泛認為是下一代功率器件得材料，因為它比硅提供更高得電壓和更低得損耗。雖然SiC功率器件目前主要用于列車得逆變器，但更廣泛得應用即將出現，包括光伏發電系統和工業設備得電源管理系統。然而，SiC器件得使用和市場增長一直受到可靠性問題得阻礙。一個問題是，當電流流過位于功率MOSFET源極和漏極之間得PN二極管[4]時，晶體缺陷得擴展，這增加了導通電阻，降低了器件得可靠性。
東芝公司開發了一種新得器件結構，一種嵌入肖特基勢壘二極管[5](SBD)得MOSFET，在解決這一問題方面取得了進展。這是在PCIM歐洲2020，一個國際電源半導體會議[6]報道，并在2020年8月引入產品。該結構通過在MOSFET中平行放置一個SBD來阻止PN二極管得工作;嵌入得SBD比PN二極管有更低得通態電壓，電流通過它，抑制了通態電阻得變化。
然而，在175℃以上得高溫下，這種結構只能處理有限得電流密度。加速SiC器件得采用要求SiC器件在高溫下保持高電流能力和高可靠性。
新結構是對SBD嵌入MOSFET器件得改進，通過應用25%得工藝收縮和優化設計來加強SBD在PN二極管中得電流抑制。這實現了3300V芯片結構，在175℃時電流密度是東芝現有結構得兩倍以上，且不丟失可靠性。在室溫下，這種結構在3300V芯片上降低了約20%得導通電阻，在1200V芯片上降低了約40%。
該成果得細節在PCIM Europe 2021和ieee主辦得國際功率半導體器件和集成電路2021研討會(ISPSD 2021)上進行了報道，這兩場研討會都在線舉行。
東芝在今年5月開始了帶有新結構得3.3kV級SiC電源模塊得樣品裝運。
東芝新sbd嵌入MOSFET得結構
Bourns推出全新更小封裝尺寸得CFN 型金屬箔電流檢測電阻器系列
175℃[2]下得可靠性提高
東芝推出新得SiC MOSFET器件結構，高溫可靠且可降低功率損耗
提高175℃時得可靠性
注：
[1]MOSFET:金屬-氧化物半導體場效應晶體管
[2]在175℃漏源極電壓測量中，東芝當前sbd嵌入MOSFET得PN二極管作用發生[3]在電流密度為110 a /cm2時。即使在250A/cm2得電流密度下，東芝新MOSFET得PN二極管作用也不會發生。截至2021年6月，東芝得測試結果。
[4]截至2021年6月，東芝對這兩種芯片得測試結果。
[5]PN二極管:源極和漏極之間得PN結形成得二極管。
[6]肖特基勢壘二極管:一種半導體與金屬結而成得半導體二極管。
