原標題：小米10拉動氮化鎵(GaN)概念股 三安光電漲超6% 來源：智通財經
2月13日，小米用純線上發布會的方式，發布年度高端旗艦手機小米10系列，還發布了一款重要搭檔產品：小米GaN充電器Type-C 65W。值得一提的是，該充電器采用氮化鎵(GaN)技術，得到資本市場強烈關注。2月14日，相關概念股三安光電(600703.SH)開盤大漲超6%。
氮化鎵(GaN)是一種廣為看好的新型半導體材料，具有超強的導熱效率、耐高溫和耐酸堿等優點，用在充電器中更是具有高效率低發熱、高功率小體積的優點，充電功率轉換也比傳統充電器更具優勢。
采取該技術的小米GaN充電器，最高支持65W疾速充電，搭配小米10 Pro可實現50W快充。在引起行業內外關注的同時，拉動了供應鏈上下游產業的活力。
在發布會現場上，雷軍多次詳細介紹該項技術的先進性。小米10系列以及GaN充電器的發布，刺激并激活了行業信心，得到行業分析師、資方及相關企業關注。相關產業鏈的工作人員稱，這都要感謝雷總。
當天，多家券商電子行業研究人員，緊急組織電話會議，基于這款采用氮化鎵(GaN)技術充電器的發布，特邀行業專家，詳細解讀行業技術趨勢和投資機會。
行業人士分析，三安光電、聞泰科技(600745.SH)、富滿電子(300671.SZ)等標的受到重點關注。其中，今年2月3日，三安光電還在投資者交流平臺上表示，公司目前氮化鎵(GaN)產能約2000片每月，產能還在增加。
市場普遍認為，氮化鎵(GaN)是未來最具增長潛質的化合物半導體，與GaAs和InP等高頻工藝相比，氮化鎵(GaN)器件輸出的功率更大;與LDCMOS和SiC等功率工藝相比，氮化鎵(GaN)的頻率特性更好。
同時，市場還預期，隨著5G網絡應用的日益臨近，將從2019年開始為 GaN器件帶來巨大的市場機遇。相比現有的硅LDMOS(橫向雙擴散金屬氧化物半導體技術)和GaAs(砷化鎵)解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網絡所需要的功率和效能。預計到2025年，GaN還將主導射頻功率器件市場，搶占基于硅LDMOS技術的基站PA市場。
采用氮化鎵材料后，小米充電器USB-C 65W的體積比小米筆記本標配的適配器縮小了48%，攜帶更方便，搭配小米10 Pro可提供最高50W充電功率，45分鐘即可充入100%。
