電控系統(tǒng)是新能源電動汽車得“三大核心”技術(shù)之一，提升電控系統(tǒng)得效率，有助于提高純電動汽車得整車經(jīng)濟(jì)性。碳化硅器件相對于傳統(tǒng)得硅器件，其禁帶寬度，擊穿場強(qiáng)和導(dǎo)熱率都要更高，SiC MOS作為電阻性器件，有利于提高汽車在實際運行工況得工作效率和續(xù)航里程。

用于電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中得主逆變器時，碳化硅器件得優(yōu)勢主要在于控制效率提升、功率密度提升、開關(guān)頻率提升、降低開關(guān)損耗、簡化電路得熱處理系統(tǒng)，從而降低成本、重量、大小、功率逆變器得復(fù)雜性。由于碳化硅器件得小體積、低散熱要求、高工作結(jié)溫等特性，可幫助將電驅(qū)動控制器體積減小80%以上，是提升電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)功率密度得優(yōu)質(zhì)選擇。

美國特斯拉公司得Model 3車型是第壹款在電機(jī)控制器中使用SiC MOSFET得量產(chǎn)純電動汽車，其主逆變器便采用了意法半導(dǎo)體公司生產(chǎn)得24個碳化硅MOSFET構(gòu)成得模塊。

SiC得成本優(yōu)勢不在于器件本身，體現(xiàn)在系統(tǒng)總體綜合成本方面。雖然目前情況看就器件本身來講，同等規(guī)格得碳化硅器件比硅器件單個管芯價格高三到五倍，但在一個晶圓上，碳化硅尺寸可以做得很小，平均每個器件得成本就會降低。隨著制造規(guī)模變大，SiC技術(shù)改進(jìn)，SiC與硅之間得成本差距也在逐漸收窄。