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投資界5月26日消息，珠海鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）宣布完成近億元A+輪融資，由順為資本、高瓴創(chuàng)投、盈富泰克聯(lián)合投資，深啟投資擔任唯一財務顧問。至今，這家專注于高端第三代半導體氮化鎵功率器件研發(fā)和生產得綜合解決方案提供商，成立一年半已累計融資過2億。本輪融資將主要用于氮化鎵功率芯片新產品研發(fā)及應用方案開發(fā)，此外還將用于供應鏈建設。

鎵未來成立于上年年10月，致力于高端氮化鎵功率器件得研發(fā)、設計和生產，為客戶提供更高效率、更小體積、更低成本得硅基氮化鎵器件產品和整體解決方案。其產品除了應用于手機/筆記本PD快充以外，也實現(xiàn)了中大功率應用場景。目前，鎵未來多款650V氮化鎵產品已實現(xiàn)了量產銷售，其中包括 3款低功率氮化鎵產品和2款高功率氮化鎵產品。

公司共有近70名員工，吸引了Intel、TI、士蘭微、TPH等業(yè)內頭部半導體公司得人才，完成組建了一個具備芯片研發(fā)、封裝測試、生產導入、可靠性驗證、質量控制和應用系統(tǒng)方案等各環(huán)節(jié)得完整團隊。

GaN是第三代半導體材料得核心材料之一，具有功率密度更高、體積更小、更低功耗得特點。由于氮化鎵材料臨界擊穿電場高，電子遷移率高，氮化鎵功率器件在同一個關態(tài)阻斷電壓等級具有更高工作頻率和更低導通電阻等特性，電轉換損耗更低。不但提高效率節(jié)約電能，而且可使電源體積更小，實現(xiàn)更高得功率密度。

自2018年氮化鎵在手機PD快充得到快速普及后，低功率（以65W為代表）應用場景需求不斷釋放，第三代半導體氮化鎵功率器件賽道進入快速成長期。目前，每年超10億臺智能手機疊加超2億臺筆記本等消費電子產品得出貨量，吸引了PI、Navitas、英諾賽科等主要玩家都加入低功率氮化鎵功率器件市場得爭奪戰(zhàn)中。

鎵未來選擇采用級聯(lián)結構型設計方案，在常開型GaN器件得源端串接一個常關型得低壓MOSFET，實現(xiàn)增強型器件。通過器件集成得優(yōu)化設計與先進封裝，克服了傳統(tǒng)級聯(lián)結構得缺點，實現(xiàn)高速而穩(wěn)定得特性。

采用GaN天然得常開特性可以避免制作常關型GaN器件工藝引入得缺陷，加上先進得設計和成熟制作技術，鎵未來得產品動態(tài)特性優(yōu)秀，可靠性高。由于其柵極是常規(guī)得Si-MOSFET，柵極抗噪聲、抗沖擊能力強，不單兼容Si基功率開關電路得柵極驅動。而且可以封裝成插件形式，適合大功率應用場景，應用功率范圍可覆蓋30W-6000W。

感謝源自資本邦