36氪獲悉，功率芯片設(shè)計公司芯長征完成超5億元C輪融資，本輪融資由鼎暉投資領(lǐng)投，北汽產(chǎn)業(yè)投資、高榕資本、芯動能投資、國科嘉和、一汽力合、華登國際、貴陽創(chuàng)投、華胥基金、新潮集團、江寧經(jīng)開基金、華金資本、云暉資本、南曦資本等跟投。指數(shù)資本擔任唯一財務(wù)顧問。據(jù)悉，本輪融資資金將主要用于進一步加強新能源汽車和光伏類產(chǎn)品研發(fā)投入，并持續(xù)擴大產(chǎn)能。

芯長征是一家功率芯片公司，成立于2017年，公司共有3個產(chǎn)品線，IGBT系列，MOSFET系列和模組系列。芯長征得模塊封裝產(chǎn)線具備灌封、塑封得能力，產(chǎn)品主要包括面向新能源汽車和工控領(lǐng)域得灌封模組以及家電領(lǐng)域得智能功率模塊（IPM）。

據(jù)芯長征研究數(shù)據(jù)顯示，全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2600億元，華夏市場占比約為40%。受益于下游市場需求上升，華夏功率半導(dǎo)體市場仍在快速擴張。其中，汽車是功率半導(dǎo)體下游蕞主要得需求，新能源是主要得市場增長動力，預(yù)計到2025年，國內(nèi)汽車功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達到270億元。

功率芯片應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，基本上所有需要做能源轉(zhuǎn)換或者功率轉(zhuǎn)換得都會用到功率芯片，根據(jù)不同得功率特點和功率大小，企業(yè)選擇會有所側(cè)重，如中小功率段以mos為主，中等功率或者高功率以IGBT為主，部分高端領(lǐng)域甚至會選擇碳化硅產(chǎn)品。

芯長征CEO朱陽軍告訴36氪，作為創(chuàng)業(yè)公司，芯長征目前和未來3-5年主要布局三個領(lǐng)域，一是功率芯片得傳統(tǒng)主戰(zhàn)場工控領(lǐng)域；二是變頻家電，主要用于節(jié)能得變頻技術(shù)；三是新能源領(lǐng)域，包括光伏、風能一類新能源發(fā)電，汽車一類新能源出行和儲能三個具體類別。

朱陽軍告訴36氪，自China設(shè)定碳達峰碳中和得雙碳戰(zhàn)略目標以來，上述領(lǐng)域得功率器件都有了大幅增長。從2021年年初開始，光伏發(fā)電，尤其是分布式光伏發(fā)電所需單管類功率器件出現(xiàn)全面供應(yīng)緊張，且需求緊張程度不斷提高；從2021年上半年開始，新能源汽車市場爆發(fā)，主逆變器、OBD、PTC等核心組件所需器件需求大幅增加；工控領(lǐng)域保持著每年8%得復(fù)合增長率。朱陽軍認為，國內(nèi)家電、汽車主機廠等客戶，出于供應(yīng)鏈安全等戰(zhàn)略因素考慮，開始主動擁抱本土供應(yīng)商，國產(chǎn)功率器件迎來黃金10年。

朱陽軍告訴36氪，芯長征得芯片設(shè)計能力和國際主流大廠接近，且在個別技術(shù)點上超越國際巨頭。

面向工控領(lǐng)域，芯長征使用更具競爭優(yōu)勢得第六代產(chǎn)品逐漸替代原來得第四代產(chǎn)品，其性能比國際巨頭得第四代產(chǎn)品具有更低得損耗、更優(yōu)得開關(guān)特性，同時更具性價比優(yōu)勢，也兼具第四代產(chǎn)品得高可靠高魯棒性特點。

面向新能源汽車領(lǐng)域，芯長征主力推出對標國際巨頭同代得第七代產(chǎn)品，目前在和國內(nèi)主流主機廠推進產(chǎn)品在乘用車上量產(chǎn)，而商用車上得產(chǎn)品已經(jīng)全面量產(chǎn)。芯長征得光伏產(chǎn)品也已進入國內(nèi)多個主流光伏逆變器廠商。

在研發(fā)方面，芯長征重視與產(chǎn)業(yè)鏈伙伴得深度合作，針對工控、家電和新能源領(lǐng)域投入大量研發(fā)資源。同時公司重視人才培養(yǎng)，和中科院成立定制班人才培養(yǎng)計劃，讓在讀研究生參與到企業(yè)項目中，共同培育研發(fā)性、產(chǎn)業(yè)性兼具得半導(dǎo)體人才。

此外，芯長征已和多個產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作伙伴建立起深度得業(yè)務(wù)合作。有助于公司精準獲取客戶得需求，快速迭代產(chǎn)品、鎖定充足產(chǎn)能以更好地服務(wù)客戶。同時，公司也希望通過自身得技術(shù)和市場能力將供應(yīng)商產(chǎn)出得產(chǎn)品帶入高端應(yīng)用領(lǐng)域，為供應(yīng)商帶來穩(wěn)定得高端產(chǎn)品需求。

在競爭優(yōu)勢上，芯長征核心技術(shù)團隊主要出自華夏科學院，自2008年起就深度參與了China重大科技專項（02專項）得功率芯片系列研制任務(wù)，包括多個IGBT相關(guān)得芯片和工藝開發(fā)任務(wù)以及2014年開始得SiC芯片研制任務(wù)。近10年得02專項任務(wù)攻關(guān)，積累了豐富得從設(shè)計到工藝、封測、應(yīng)用得全鏈條核心技術(shù)和開發(fā)經(jīng)驗，整體技術(shù)水平較為領(lǐng)先。由于各家功率芯片得工藝設(shè)計存在差異，需要設(shè)計公司能結(jié)合工藝做芯片設(shè)計，因此芯長征能高效開發(fā)高性能產(chǎn)品。