原標(biāo)題：小米發(fā)布GaN快充 氮化鎵GaN站上風(fēng)口 來源：金融界網(wǎng)站

小米2月13日新品發(fā)布會(huì)上推出明星產(chǎn)品65W GaN充電器，引發(fā)市場對(duì)GaN的關(guān)注。GaN材料具備高功率、高頻率、高導(dǎo)熱等優(yōu)勢，所做充電芯片實(shí)現(xiàn)了輸出大功率的同時(shí)保持充電器體積可控。目前市面上已有多家廠商布局GaN快充，預(yù)計(jì)隨著用戶對(duì)便攜性的需求提高，2025年全球GaN快充市場規(guī)模有望600多億元，同時(shí)加速GaN芯片在其他新興領(lǐng)域?qū)i基產(chǎn)品的替代。

小米發(fā)布性能強(qiáng)悍的65W GaN充電器。

2月13號(hào)的小米新品發(fā)布會(huì)上，除小米10、小米WIFI6路由器等一系列電子產(chǎn)品外，小米還推出了一款體積非常小巧的充電器——小米GaN充電器Type-C 65W。該款充電器采用GaN充電芯片，最大充電功率為65W，充滿配備4500 mAh電池的小米10Pro僅需45分鐘。超大充電功率和優(yōu)秀的便攜性使“GaN快充”一時(shí)成為科技界矚目的焦點(diǎn)。

GaN快充亮點(diǎn)：維持高速充電的同時(shí)體積控制優(yōu)秀。

充電器內(nèi)部變壓器和電容體積占比較大，同樣功率下變壓器和電容體積和電源頻率成反比。傳統(tǒng)Si基芯片受限于頻率的提升，很難進(jìn)一步降低。GaN芯片頻率遠(yuǎn)高于Si，有效降低里內(nèi)部變壓器等原件體積，同時(shí)優(yōu)秀的散熱性能也使內(nèi)部原件排布可以更加精密。最終完美解決了充電速率和便攜性的矛盾。

從性能和成本角度，GaN未來有望成為主流快充技術(shù)。

對(duì)比GaAs和SiC兩種主要化合物半導(dǎo)體，我們認(rèn)為GaAs由于耐壓水平不高，不適用于大功率應(yīng)用。SiC雖然性能理論上可以用作快充，但是由于生產(chǎn)難度極高，目前價(jià)格昂貴，限制了大規(guī)模的使用。GaN快充芯片主要采用GaN-on-Si技術(shù)，隨著Si晶圓加工和GaN外延技術(shù)的不斷進(jìn)步，成本已經(jīng)做到比較低。綜合性能和成本兩個(gè)方面，GaN有望在未來成為消費(fèi)電子領(lǐng)域快充器件的主流選擇。

預(yù)計(jì)2020年全球GaN快充市場規(guī)模為23億元，2025年約638億元。

目前市面上已有多家廠商布局GaN快充，小米此次發(fā)布新品更是將65W 產(chǎn)品價(jià)格拉入150元以下。我們預(yù)計(jì)隨著用戶對(duì)充電器通用性、便攜性的需求提高，未來GaN快充市場規(guī)模將快速上升，預(yù)計(jì)2020年全球GaN充電器市場規(guī)模為23億元，2025年將快速上升至638億元，5年CAGR高達(dá)94%。

GaN還可用于5G基站、自動(dòng)駕駛、軍用雷達(dá)等眾多功率和頻率有較高要求的場合，未來市場規(guī)模有望快速增長。

GaN的功率性能、頻率性能以及散熱性能優(yōu)秀，特別適合5G通訊基站、軍用雷達(dá)、功率電力電子等需要高輸出功率和頻率的場合。在此拉動(dòng)下，未來GaN功率器件和頻率器件市場規(guī)模均高速增長。

預(yù)計(jì)2022年氮化鎵襯底材料需求30萬片以上，對(duì)應(yīng)市場規(guī)模達(dá)64億元。

據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)2017年全球氮化鎵襯底市場需求約7.4萬片，在氮化鎵射頻和功率器件應(yīng)用的拉動(dòng)下，預(yù)計(jì)2022年全球氮化鎵襯底需求上升至32萬片，對(duì)應(yīng)的氮化鎵襯底的市場規(guī)模達(dá)到64億元，2017-2022年CAGR達(dá)34%。